一、扩散长度与载流子寿命？

太阳能电池的扩散长度指材料中的少数载流子扩散长度，反映了少数载流子的寿命。

扩散长度越长，说明少子寿命越长，材料缺陷越少，质量高。太阳能电池的量子效率和转换效率也就越高。它是反映半导体材料质量很重要的一个参数。单晶硅太阳能电池的扩散长度就比多晶硅的长。而非晶硅是最短的，效率最低。

二、半导体载流子扩散的决定因素？

半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。

少数载流子能够存储（积累），则对于器件的开关速度有很大影响；而多数载流子的电容效应（势垒电容）往往是影响器件最高工作频率的因素。

三、扩散伤害怎么算？

扩散伤害看概率计算能否穿甲，穿甲则造成子弹基础伤害，然后无论是否打穿护甲，都会造成子弹的护甲伤害×护甲的毁甲系数=护甲损失的耐久，护甲耐久达到全新护甲的50%左右就会降低1级防护等级，20%左右就会降低3级防护等级。

四、电流产生的原理与载流子的运动

电流产生的原理

在电路中，电流的产生是由电荷的移动造成的。当电压施加在导体两端时，导体内部的自由电子会受到电场力的作用而发生移动，从而形成电流。

载流子的定义

载流子是指在固体材料中，能够携带电荷的电子或空穴。在半导体中，电子和空穴都可以视为载流子，它们在电场的作用下形成电流。

导体中的载流子

在金属导体中，电流主要是由自由电子构成的。这些自由电子受到电场力驱动，自由移动从而形成电流。

半导体中的载流子

在半导体中，除了自由电子外，空穴也是一种重要的载流子。空穴是电子的缺失，它相当于正电荷在固体中的移动，与电子运动方向相反。

载流子的运动与电流

电流是由正负电荷不断流动形成的，而在导体或半导体中，载流子的运动决定了电流的大小和方向。载流子的迁移率和浓度是影响电流大小的关键因素。

总结

电流实质上是载流子在外加电场作用下的移动，载流子的种类和运动规律对电流的产生和传输起着决定性作用。

感谢阅读本文，希望通过了解电流产生的原理和载流子的运动，能更深入地理解电路中电流的流动规律。

五、反向电流是由什么载流子形成？

反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的。

在二极管中，PN结的单向导电性。

如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。

反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。

六、扩散伤害怎么算的？

扩散伤害和风伤有关，扩散的基础伤害与造成扩散角色和造成元素附加角色的攻击面板并无关联。扩散的基础伤害按造成扩散角色的等级增加，以此为基础倍率。

扩散并不吃相应元素加成，扩散的加伤只与扩散伤害的加成有关。当有多条扩散加伤(如元素精通加成)存在时，加伤按基础值×(自身扩散加伤+装备扩散加伤+100%)来运算。

七、扩散电流和漂流电流区别？

扩散电流是PN结中由载流子扩散运动形成的电流。扩散运动则是载流子顺浓度梯度，由浓度高的区域向浓度低的区域运动的现象。

在不受外加电压影响的PN结中，P区的多子空穴向N区扩散，N区的多子自由电子向P区扩散。当载流子通过两种半导体的交界面后，在交界面附近的区域里，P区扩散到N区的空穴与N区的自由电子复合，N区扩散到P区的自由电子与P区的空穴复合。因为电流方向指向空穴移动方向（或自由电子移动的反方向），扩散电流由P区指向N区。

漂移速度是指漂移电流中载流子运动的平均速度。漂移速度以及产生的电流，是通过迁移率(mobility)来表述的。

在电流中，叫做空穴的带正电粒子顺电场方向移动，而带负电的电子逆电场方向移动。它和扩散电流不同 如果将一个电场加在自由空间的一个电子上，它会从外加电压的负端到正端沿一条直线加速加速这个电子。但相同的事情不会发生在良导体内部的电子上。良导体内有大量自由电子在固定的正离子核之间无规则运动。电子在一条直线(宏观上)上的无规则运动叫做飘移运动。飘移运动也跟载流子在导电介质中的迁移率有关。

八、mos管只有什么载流子构成导通电流？

MOS管还称之为场效应管，在集成电路中绝缘性场效应管。在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和

金属，形成栅极。MOS管的source和drain都是在P型backgate中形成的N型区，他们是可以对调的

单极型晶体管导通时只有一种极性的载流子参与导电，导电机理与小功率MOS管相同，结构上有所区别，

小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET通常采用垂直导电结构，提高了MOSFET器件的耐压和耐电

流能力。

九、何为半波电位和扩散电流？

半波电位在电化学应用中的意义：

1，当电流密度等于极限扩散电流密度的二分之一时的电极电位，,叫做半波电位。半波电位代表指定氧化还原系统之特征性质，可以用来作为定性分析的依据。

2，半波电位在电化学应用中，当温度和支持电解质浓度一定时，半波电位数值一定，与欲测物质的浓度和所使用仪器（如毛细管、检流计等）的性能无关，而决定于欲测物质的性质

十、为什么扩散电流与漂移电流方向相反？

在微电子器件中，一开篇就讲了半导体器件的三个基本方程，泊松方程，输运方程，以及连续性方程。暂且不说泊松方程和连续性方程，在理解输运方程时，有一些细节没弄懂：

输运方程如下：

Jp=pquE-qD*dP/dx;

Jn=nquE+qd*dn/dx;

对于空穴的公式，我是这样理解的，漂移电流和扩散电流方向相反，所以是“相减”，但是在对电子电流密度矢量方程上有些疑惑，我认为电子扩散方向和漂移方向也是相反的，那为什么出现扩散电流和漂移电流“相加”呢。