一、bjt放大倍数公式？
三极管可以使电流放大或者电压放大。电流放大倍数β=ICE/IBE=(IC-ICBO)/(IBE-ICBO)≈IC/IB，电压放大倍数Au=Uo/Ui 。
一、三极管的电流放大倍数又称三极管的电流分配系数，字母为希腊字母β。
电流放大倍数就是漂移到集电区的电子数或其变化量与在基区复合的电子数或其变化量之比，即ICE与IBE之比。用β表示。β=ICE/IBE=(IC-ICBO)/(IBE-ICBO)≈IC/IB
二、电压放大倍数是指放大电路输出电压与输入电压之比。设为正弦输入输出，Ui为输入电压，Uo为输出电压，则电压放大系数Au=Uo/Ui 。
拓展资料：
三极管放大原理：
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
二、bjt电流增益如何计算？
三极管共基极电流增益 指的是放大电路的输出端的电流除以输入端的电流值，也就是电流的放大倍数。但由于是共基极，它只具有电压放大作用，不具有电流放大作用。 1电压增益：A=Rc/Re 限制是A必须小于三极管的β值。
2.输入阻抗：Ri=Rb1||Rb2||（βRe）
3.交直流工作点：设Vo=VCC/2使得输出波形得到最大的电压范围，三极管饱和导通时Vo=VCC*Re/（Rc+Re），三极管截止时Vo=VCC。由于一般情况下Re一定远远小于Rc以得到较高的增益，所以三极管饱和导通时的Vo（即交流输出的波谷）可忽略不计。
Vi=VCC*Rb2/（Rb1+Rb2）=Vo/A+Ube Ube一般选0.54-0.6V而不是0.7V，依据上面的关系式即可得到Rb1和Rb2的比例关系。
然后根据输入阻抗的要求即可求得Rb1和Rb2的实际阻值。
三、为什么BJT可以实现反向放大电流？
BJT的反向放大电流机制
BJT（双极型晶体管）是一种常用的电子器件，具有放大电流的功能。除了正向放大电流外，它还能实现反向放大电流。那么，为什么BJT可以实现反向放大电流呢？下面将为您解答。
1. BJT构造
BJT由三个区域组成：发射区（E区）、基区（B区）和集电区（C区）。发射区和集电区具有正向偏置电压，而基区和集电区具有反向偏置电压。
2. PNP型BJT的反向放大电流
PNP型BJT中，发射区和集电区均为p型，基区为n型。当基极电压低于发射极电压时，基结发生反向击穿，并形成非正常工作状态。此时，由于反向击穿的存在，电流可以通过基区流向集电区，实现反向放大电流。
3. NPN型BJT的反向放大电流
NPN型BJT中，发射区和集电区均为n型，基区为p型。当基极电压高于发射极电压时，基结发生反向击穿，并形成非正常工作状态。同样地，由于反向击穿的存在，电流可以通过基区流向集电区，实现反向放大电流。
4. 应用领域
BJT的反向放大电流特性在一些特定的应用中非常有用。例如，在交流电源中，通过BJT的反向放大电流可以实现电流控制和保护功能。此外，反向放大电流还可以应用于信号处理、功率放大和开关控制等领域。
5. 总结
BJT作为一种常用的电子器件，不仅可以实现正向放大电流，还可以实现反向放大电流。PNP型和NPN型BJT通过反向击穿效应，使电流可以从基区流向集电区。这一特性在电流控制、保护以及一些特定的应用场景中非常有用。
感谢您阅读本文，相信通过本文的介绍，您已经了解了BJT为什么可以实现反向放大电流的机制。希望本文对您有所帮助！
四、bjt中电流形成原理？
双极性晶体管，全程双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），也就是我们常说的三极管。
在三极管器件的设计中，通常会在发射区进行N型高掺杂，以便在发射结正偏时从发射区注入基区的电子在基区形成相当高的电子浓度梯度。
基区设计的很薄，这样注入到基区的电子只有很少一部分与多子空穴复合形成基极电流。与基区电子复合的源源不断的空穴需要基极提供电流来维持。
在设计中对集电区则进行较低的P型掺杂且面积很大，以便基区高浓度的电子扩散进去集电区形成集电极电流。
五、为什么说BJT是电流控制器件？
半导体器件有双极型(BJT)、结型(FET)、和绝缘型(MOS)几种，BJT是通过基极电流来控制集电极电流而达到放大作用的，而FET&MOS是靠控制栅极电压来改变源漏电流，所以说BJT是电流控制器件，而FET和MOS是电压控制器件。
六、晶体管如何放大电流？
晶体管放大电路有三种基本接法：共射、共集、共基。
1、共射放大电路：既能放大电压，又能放大电流，输入电阻居三种电路之中，输出电阻较大，频带较窄，适用于一般放大，即低频电压放大电路的单元电路。
2、共集放大电路：只能放大电流不能放大电压，是三种接法中输入电阻最大、输出电阻最小的电路，因而从信号源索取的电流小且带负载能力强，且具有电压跟随的特点。常用于电压电压放大电路的输入级和输出级。
3、共基放大电路：只能放大电压不能放大电流，输入电阻小，高频特性好，适用于宽频带放大电路。
七、晶体管计算公式？
求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。 三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
八、晶体管漏电流是什么？
应该是指晶体管集电极穿透电流。
九、电流法判断晶体管极性？
晶体管的两端加上电压，如果电路中有电流流过，则确定加正电压的那端是正极，若无电流，则晶体管的极性与电压极性相反。
十、晶体管的静态电流怎么测？
静态指放大器工作点，静态电流指的是偏置电流，也包括偏置电压。设置工作点目的是保证放大器有一个最大的不失真输出电压幅度Uommax。
以基本共射放大器为例，集电极偏置电流及集电极-发射极偏置电压各应为Ic=Ucc/(Rc+Rc//RL)Uce=Ucc/(2+Rc/RL)使Ic、Uce达到以上数值，只要Rb按照以下公式设计Rb=β(Rc+Rc//RL)Ic、Uce就能达到以上数值，而放大器获得最大不失真输出电压幅度Uommax=Ucc/(2+Rc/RL)实际上偏置电压更好用，因为测量偏置电压不必断开电路。扩展资料：静态电流大原理这里介绍一下它的原理：这是根据简单的电路并联原理来判断的，两个电阻并联在不改变外加电压的情况下，阻值小的那条支路分得的电流是不是要比另一条支路的分得的电流大，那么这条支路产生的热量就要大的很多，公式为热量等于电流乘以电流再乘以时间，只要电流增大那么热量就会增大很多，所以就能很快的感觉出来。
在主板上19V的负载都是并联的只要有一个短路那么那一个产生的热量就会很大的。
要是感觉不出来，就必须一路一路断开了查找了，查找的思路是这样的19V通过电感传输到每一路去的。
只要断开电感量测两端看看是那一端短路，要是还是主电源端就按这个方法再去查找，要是量测主电源端不短路了，那就是这一路的负载端短路，只要查到就好解决了，给这一路的负载卸掉就可以了。
静态电流小静态电流小就意味着三个原始电压没有出来.但只要有电流就表示外界给主板的指令已经送到SC1404主电源芯片上了，那为什么静态电流会小了，那是因为SC1404还没有工作，有的人想到这一步就认为SC1404坏了，接着就开始换SC1404，但很少有换好的那换不好怎么办呢?没有办法了.在这里要提醒一下：主板不要轻易去换零件，因为在没有确定之前你想换的那颗零件只是嫌疑犯而已，下面维修思路既SC1404没有工作，那么它在工作时要有条件的，那我们看看CS1404的工作条件是什么，首先SC1404要有外界的指令19V电压，还要有一个VL信号用万用表电压档量测为5V。
