一、pn结的电流方程是正偏吗？
PN结的电流方程分为正向偏置和反向偏置两种情况。
在正向偏置情况下，PN结的正向漏电流可由以下公式求得：
I = I0(e^(Vd/Vt) - 1)
其中，I0是饱和漏电流，Vd是PN结正向偏置电压，Vt是热电压。该公式显示出正向偏置时，PN结正向漏电流是指数增加的。
在反向偏置情况下，PN结的反向漏电流又可由以下公式求得：
I = I0(e^(Vd/Vt))
其中，Vd是PN结反向偏置电压，I0是PN结在零偏置电压下的反向饱和电流，Vt是热电压。该公式也是指数增加的。
需要注意的是，PN结正向偏置时，由于外加电场的助推，载流子能够通过PN结，因此产生电流；反向偏置时，PN结中的空穴和电子趋向外部，减少了内部的载流子密度，因此反向漏电流也是存在的。
二、pn结正偏时如何接？
1、把电源的电压的正极与P区引出端相连，负极与N极引出端相连时，称PN结正向偏置，简称PN结正偏。
2、采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
三、pn结的正偏导通性？
Pn结正偏时,外电场与内电场的方向相反,使内电场被削弱,空间电荷区减少,阻挡层变薄,扩散现象占优势,由多数载流子形成较大的正向电流,称PN结导通。
当PN结反偏时,外电场与内电场方向相同,使内电场被加强,空间电荷增加,阻挡层变厚,漂移电流占优势,由少数载流子形成极小的反向电流,相当于没有电流通过，称pn结截止。由于pn结正偏导通，反偏截止，所以说pn结具有单向导电性。
四、pn结的正偏和反偏状态？
1、PN结正偏的含意：
（1）、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
（2）、在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
2、PN结正偏的含意：
（1）、与正向偏置相比，交换电源的正、负极位置，即P区接电源负极，N区接电源正极，就构成了PN结的反向偏置。
3、简单来说：二极管有N，P两个极。
4、将电源正极与二极管P极相连就是正相偏置，二极管处于导通状态；反之正极接N极就是反向偏置。
扩展资料：
PN结反向偏置时，外加电场与空间电荷区的内电场方向一致，同样会导致扩散与漂移运动平衡状态的破坏。外加电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，使空间电荷区变宽，内电场增强，造成多数载流子扩散运动难于进行，同时加强了少数载流子的漂移运动，形成由N区流向P区的反向电流。但由于常温下少数载流子恒定且数量不多，故反向电流极小。电流小说明PN结的反向电阻很高，通常可以认为反向偏置的PN结不导电，基本上处于截止状态，这种情况在电子技术中称为PN结的反向阻断。
当外加的反向电压在一定范围内变化时，反向电流几乎不随外加电压的变化而变化。这是因为反向电流是由少子漂移形成的，在热激发下，少子数量增多，PN结反向电流增大。换句话说，只要温度不发生变化，少数载流子的浓度就不变，即使反向电压在允许的范围内增加再多，也无法使少子的数量增加，反向电流趋于恒定，因此反向电流又称为反向饱和电流。值得注意的是，反向电流是造成电路噪声的主要原因之一，因此，在设计电路时，必须考虑温度补偿问题。
五、pn结正偏和反偏结电阻为多少？
PN结正向偏置时的电阻R=U/I。式中U为PN结上的正向电压，I为流过PN结的电流。当PN结反向偏置时的电阻R=U/I。式中U为PN结上的反向电压，I为流过PN结的反向电流。
六、pn结最大电流？
二极管的最大电流参数相关的主要有：最大整流电流IF，是指二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关；正向峰值电流（正向最大电流）IFM（IM），是在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流；反向峰值电流IRM；反向不重复峰值电流IRSM；最大稳压电流IZM，仅适用于稳压二极管。
二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
七、pn结电流分类？
扩散，漂移，产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。反向饱和电流有扩散和漂移。体漏电流有产生复合，遂穿，陷阱辅助遂穿。表面漏电流有表面产生复合，表面遂穿，表面沟道电流。
PN结
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
八、pn结正偏其电容效应主要体现为？
PN结正向导电时,多子扩散到对方区域后,在PN结边界上积累,并有一定的浓度分布。
积累的电荷量随外加电压的变化而变化,当PN结正向电压加大时,正向电流随着加大,这就要求有更多的载流子积累起来以满足电流加大的要求;而当正向电压减小时,正向电流减小,积累在P区的电子或N区的空穴就要相对减小.
九、pn结的电流流向？
一个二极管是由一个PN结的半导体元件，电流是从P流向N。三极管是由二个PN结的半导体元件，分为PNP和NPN两种形式，当其达到导通条件时，NPN三极管的电流是从C极流向E极，反过来，PNP三极管的电流是从E极流向C极。PNP和NPN导通后，电流方向是不同的。
十、pn结的电流方程推导？
pn结方程叫伏安特性方程I=Is*（e^U/Ut-1）Is为反向饱和电流（漏电流）U导通电压Ut温度当量。室温取26mv
