一、三极管大电流的型号？
MJ14002，60A，NPN管；
2N5686，50A，NPH管；2N5684，50A，PNP管。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
二、三极管哪个管脚电流最小？
基极管脚
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。
也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
三、如何用三极管产生大电流？
采用复合管结构，最后的大电流I=各管放大倍数的乘积*第一级基极电流，但要注意管子的承受能力。比如达林顿管
四、手机低压大电流高压大电流哪个好？
高电压小电流比较好，因为大电流充电会缩短电池的寿命。
优点：兼容性好，诸如QC 2.0/3.0、魅族mCharge、联发科PEP、华为FCP等高压快充协议的充电器基本可以通用，而且不挑数据线。而且第三方配件丰富，还有大量移动电源支持。
缺点：充电时发热量大，边用边充会降低充电效率。
五、光敏三极管大电流时的现象？
光敏三极管和普通三极管相似，也有电流放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿和附加控制等作用。
光敏三极管， 也称光电三极管或光电晶体管， 它是作为光传感器的敏感部分， 已在光的检测、信息的接受、传输、隔离等方面获得广泛的应用， 成为各行各业自动控制必不可少的器件。其基本原理是光照到P-N结上时，吸收光能并转变为电能。当光敏三极管加上反向电压时，管子中的反向电流随着光照强度的改变而改变，光照强度越大，反向电流越大，大多数都工作在这种状态。
光敏三极管（Phototransistor）和普通三极管相似，也有电流（Current）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于温度补偿（Temperature compensation）和附加控制等作用。
优越性
当具有光敏特性的PN 结受到光辐射时，形成光电流，由此产生的光生电流由基极进入发射极，从而在集电极回路中得到一个放大了相当于β倍的信号电流。不同材料制成的光敏三极管具有不同的光谱特性，与光敏二极管相比，具有很大的光电流放大作用，即很高的灵敏度。
工作原理
光敏三极管和普通三极管的结构相类似。不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN结作为感光面，一般用集电结作为受光结，因此，光敏三极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通三极管。光敏三极管与普通半导体三极管一样，是采用半导体制作工艺制成的具有NPN或PNP结构的半导体管。它在结构上与半导体三极管相似，它的引出电极通常只有两个，也有三个的。为适应光电转换的要求，它的基区面积做得较大，发射区面积做得较小，入射光主要被基区吸收。和光敏二极管一样，管子的芯片被装在带有玻璃透镜金属管壳内，当光照射时，光线通过透镜集中照射在芯片上。
六、工频电流和高频电流哪个危害大？
工频电流与高频电流在电击危险性上相比，工频危险性大。
高频电流是相对于工频50HZ交流电而言的电流。
比如，通信的信号里的载波电流就是高频电流。在某些场合，为了改变电机转速需要使用变频器，将工频电流变为相对较高频率的电流。
七、光敏三极管在大电流时有什么现象？
光敏三极管的基本结构和普通三极管一样，有两个PN结，吸收入射光，基区面积较大，发射区面积较小。、
当光入射到基极表面，产生光生电子-空穴对，会在b-c结电场作用下，电子向集电极漂移，而空穴移向基极，致使基极电位升高，在c、e间外加电压作用下(c为+、e为-)大量电子由发射极注入，除少数在基极与空穴复合外，大量通过极薄的基极被集电极收集，成为输出光敏流。
总之，光敏三极管工作原理分为两个过程：一是光敏转换;二是光敏流放大。最大特点是输出电流大，达毫安级。但响应速度比光敏二极管慢得多，温度效应也比光敏二极管大得多。
八、三极管放大倍数越大电流会大吗？
三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
九、三极管电流方向？
我来说吧，三极管要放大，有两个条件：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射结是基极（P）指向发射极（N），集电结是基极（P）指向集电极（N）。
而且对于半导体来说，多子是携带电荷的主流，代表主要电流的方向。
先看发射极，由于是N区，多子是电子（负电）。由于发射结正偏，PN结内电场的方向从基极指向发射极，电子在电场内的运动与电场方向相反，所以电子（从电源负极出发）会向基极运动。直接越过PN结到达基极。由于基极很薄，而且浓度很低，所以电子流没有受到阻碍一直到达集电极——基极边界。而在这个地方，刚好是集电结反偏，也就是电场方向是从集电极指向基极，此时电子在电场的作用下，继续逆着电场方向运动（因为带负电），一直到集电极，并转入电源正极，这样完成了一个循环。由于电流的方向是正电子的运动方向，所以标注的电流方向与这个电子的运动方向相反，所以你看到的是电流从集电极流入到发射极流出。
PNP三极管的判断与这个很类似，你可以尝试一下。
十、三极管电流规律？
三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。扩展资料晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，称三极管处于截止状态
