一、高电平选择电路的原理？
所谓高低电平是数字电路中的概念，具体定义可以参考相关书籍。
一般所说的高低电平是根据实际电路来的，在给定一个电压参考值后，低于参考值1/3的称为低电平，高于参考值2/3的称为高电平。调幅的方法按电平的高低可区分为高电平调制和低电平调制，前者是直接产生满足发射机输出功率要求的已调波;后者是在低功率电平上产生已调波，再经过线性功率放大到所需的发射功率。
一般普通调幅发射机都采用高电平调制。它的优点是不必采用效率低的线性功率放大器，从而有利于提高整机效率。高电平调制电路必须兼顾输出功率、效率和调制线必的要求。
双边带调制和单边带调制通常都是低电平调制。调制电路的输出功率和效率不是主要指标，调制电路的形式，非线性器件类型及工作状态选择不受输出功率和效率的限制，因而具有更大的灵活性，可以更好地提高调制线性和抑制载波输出。
二、TTL电路中如何输入高电平？
“TTL集成电路主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V，Ⅱ、Ⅲ类0.8V，输出低电平最大Ⅰ类0.4V，Ⅱ、Ⅲ类0.5V，典型值0.25V。”
三、电路中的高电平是多少V啊？
电路中的高电平大小由具体的电路决定，小到几伏，大到几十、几百伏。
在电路中，高电平就是它的最高电压，比如是10V的电路，它的高电平就应该是10V或者接近10V，而低电平就可以理解为无也就是0，这时低电平就是0V或者接近0V。
高电平和低电平区分的时候可以借助于灯光的亮度，如果使用家中的灯泡来区分高电平和低电平，就是当灯泡在开启后发光的时候就是高电平，灯泡在关闭后不发光的时候就是低电平。
四、使用74HC14将输出的低电平有效转换成高电平有效，求电路图？
低电平必须小于0.8V，最大值2.5V太高了，要用比较器转换有效电平 。
五、cmos电路接多少电阻等于高电平？
如果接到地就是相当于接低电平，因为CMOS的输入阻抗非常高（大致10^12欧姆）
1、CMOS输入端是不允许悬空的，必须要接到某个固定的电平上，否则极高的输入阻抗，会使输入端由于空间电磁场的影响产生高频振荡，甚至导致该器件的其它部分也不能正常工作。
2、接一个较大的电阻到地（或上拉），可以减低功耗（其它输出对这个端口的功耗），同时满足应用的要求。
六、电路中什么是高电平低电平？
电子电路中高电平是电压高的状态,一般记为1电子电路中低电平是电压低的状态,一般记为0高低电平的划分对于TTL来说高电平是:2.4V-5.0V 低电平是:0.0V-0.4V对于CMOS来说高电平是:4.99-5.0v 低电平是:0.0-0.01v对于高低电平之间的电压属于不定电压在这个电压下会使器件工作不稳定比如有时电脑开机后有不正常现象,但重新启动后又没问题了.就是因为数字电路有时因为器件遇到了这个不定电压而无法识别发生紊乱
七、pnp是高电平还是低电平有效？
pnp是低电平有效，三极管按结构分PNP和NPN两种。
三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。也可以描述成，电流从发射极E流入的三极管。
八、p1口低电平有效还是高电平有效？
P1口因有上拉电阻，所以是低电平有效。
九、flash电路结构？
Flash电路是由三个主要部分组成的：输入/输出（I/O）部分、存储单元和控制电路。1. 输入/输出（I/O）部分：用于与其他电路或设备进行数据交换。它包括输入引脚（将数据输入到存储单元）和输出引脚（从存储单元读取数据）。常见的输入/输出标准包括SPI（串行外设接口）、I2C（双线串行总线）和SD卡。2. 存储单元：存储器芯片中的核心部分，用于存储和读取数据。存储单元采用非易失性存储技术，例如闪存技术。存储单元通常被划分成多个块或扇区，每个存储单元块包含多个存储单元页。3. 控制电路：用于控制存储单元的操作和数据传输。它包括地址译码器（将地址信号转换为存储单元的选择信号）、写入和擦除控制器（用于控制数据写入和擦除操作）、时钟发生器（为电路提供时序信号）和数据缓冲器（用于数据传输）等。控制电路还可以包括错误检测和校正电路，以确保数据的可靠性。总之，Flash电路结构包括输入/输出部分、存储单元和控制电路，这些部分共同协作以实现数据存储和读取功能。
十、buffer电路结构？
buffer是由两个单口sram背靠背组成的一种电路结构，假设我们称其为s1和s2。则乒乓buffer的工作方式如下。
首先向s1中写入数据，此时s2是空的，因此没有操作。当向s1写入完毕，通过逻辑操作，使得接下来向s2中写入数据，于此同时其他模块可以从s1中读出已经写入的数据；待s2中写完，再次转换，重新向s1中写入数据，同时其他模块从s2中读出数据。由于这个过程中两个buffer总是一个读一个写，并且互相交换读/写角色，因此称其为乒乓buffer。
