什么是开启电压？ - 散珠屏幕网

一、什么是开启电压？

死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2 V，硅管的死区电压约为0．5 V。

二、硅的开启电压？

一般来说,硅的开启电压是指正向电流将开始流动的电压,这通常是在0.5~1.0伏之间。硅的开启电压与硅晶体的掺杂和材料结构有关。

三、igbt开启电压是多少？

IGBT的开启电压就是指门极（栅极）和源极（IGBT不称发射极）之间的电压Vgs，通常这个值在2～4V左右，也有的的需要6V左右，例如H40T120的Vgs就是5-6.5V 。

四、pn结的开启电压？

开启电压(VF)与击穿电压(VBR)的定义

业界是通过加电流测试电压的方法来定义VF与VBR

具体方法如下

1),测试VF

对PN结正向加一测试电流,测试PN结两端的电压,测试得到的电压值即为VF

2),测试VBR

对PN结反向加一测试电流,测试PN结两端的电压,测试得到的电压值即为VBR

正向反向

IT 1mA 1mA~10mA

见于反向击穿电压与漏电关系的变化,当VBR较小是,ID很大,IT较大,所以IT也是变化的

五、mos开启电压测量方法？

1、利用两个源测量单元分别与MOS晶体管的漏极及衬底相连，运算放大器的输出端与MOS晶体管的栅极相连，运算放大器的负输入端及直流电流源的负极均与MOS晶体管的源极相连构成的开启电压测试系统；

2、在进行MOS晶体管的开启电压测试时，向运算放大器的正输入端输入0V电压，通过直流电流源向MOS晶体管的源极提供大小等于目标电流的电流，之后通过源测量单元向MOS晶体管的漏极输入设定的电压并同时测量运算放大器的输出端与MOS晶体管的栅极之间的电压即可获得MOS晶体管的开启电压，测量过程操作简单，提高了测量的精准度，缩短了测试确定开启电压的过程所需的时间。

六、LED开启电压是指什么？

LED的开启电压实际是2v以上。因为LED是具有内阻的，它并不是一个纯理论的二极管。

发光二极管简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。

七、mosfet的最大开启电压？

是的，G极的电压需要2-4V之间。

MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的，两个引线端就会互相对换角色。

八、pn结开启电压怎么表示？

为0.3～0.7v

在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。不同材料的pn结,二极管,三极管导通电压不同，硅材料三极管,硅材料二极管,硅材料pn结导通电压为0.5-0.7伏左右，锗材料pn结,锗材料二极管,锗材料三极管导通电压为0.1-0.3左右。

九、mos管栅极开启电压多少？

mos管栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。

那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通

十、LED的开启电压实际是多少？