一、测阈值电压的方法？

阈值电压 ：通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。举例说明：如MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态，此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一；如描述场发射的特性时，电流打到10mA时的电压被称为阈值电压。

二、阈值电压的求法？

阈值电压的计算

根据JEDEC STANDARD JESD-28的规定计算方法(JEDEC 14.2.2 –Hot Carrier Working Group --- June 15,1995)，有两种计算阈值电压的方法: 方法A易于操作，在早期的阈值电压测试中常用，随着工艺的先进，这种方法不够准确，方法B逐渐开始采用，但实际上JEDEC定义的不够准确，它是把VDS忽略掉了。 正确的计算方法是，根据线性区的电流方程: 我用Hspice仿真的方法，用A、B两种方法计算了某0.18um工艺中NMOS的阈值电压，取VDS=0.1V。 下面是计算结果:

W=1u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时，VGS=0.467V 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=29.6u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

W=10u， L=1u. 方法A:在波形图上测量到ID=1uA时，VGS=0.361V，那么VT(ci)=0.361V;ID=10uA时，VGS=0.471V; 方法B.:在波形图上测量到gm(max)=311.4u，此时VGS=0.683V，此时ID=68.11uA，代入公式(3)，得到VT(ext)=0.414V。

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三、阈值电压偏大的原因？

阀电压（门限电压）VTH，功率MOSFET的阈值电压，也有些工程师称之为门坎电压，就是功率MOSFET的导通电压。

1、供电所由于检修或其它原因造成你的入户线没有中性线(零线)，这种状况你用验电笔测一下就知道。

2、变压器输出端的中性接地线断(或者接地不良)，由于三相不可能绝对平衡供电，这样就造成部分用电户的电压严重超高，会烧坏部分电器。

四、栅源极阈值电压？

应该是漏极电压和栅极电压，就是场效应管其中漏极和栅极的电压

五、偷钱怎么求得原谅？

那么首先得看你和那个人是什么关系 ，同时 ，也跟你偷钱的数额有关 ，如果如果你真的知道这件事情，你错在了哪 ，那么请求他原谅的同时，你可以说 出自己 但是偷钱的原因及苦衷 ，如果你确实有苦衷 那么你可以跟他解释清楚 一般情况下，如果是小数额的话 那么他应该不会跟你计较吧 ，因为你知道自己错在了哪儿 ，也想得到他的原谅 ，那么有的人他会念在你是真心道歉或者知道自己的错，再或者知道你要什么苦衷 你去道歉的话，他很有可能会接受 ，如果你和那个人非常熟悉的话，那么你更要给他说清楚是怎么回事 ，如果他能理解你，也自然不会与你计较了 。总之就几个方面 ；

1,知道自己错在了哪 ，2, 是否真心想得到他的原谅 ，3,道歉的态度要诚恳 。大概就是这几点了 ，加油 ！

六、mosfet制备中调整阈值电压的常用方法有哪些？

例如，对于耗尽型n-MOSFET，在栅电压为0时即存在电子导电的沟道，就是线性导通状态；只有加上一定的栅极电压（负电压）后才能使沟道消失（整个沟道夹断），这时的栅电压称为”夹断电压”Vp，也就是耗尽型FET的阈值电压，当“源漏电压Vds≥夹断电压Vp减去栅源电压Vgs”时，沟道即在靠近漏极处被夹断，晶体管就进入饱和导通状态，输出电流最大、并饱和，同时跨导也最高——放大工作区。 值得注意，FET在饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事。沟道在漏端被夹断后，并不是不能导电，因为夹断区实际上就是一个存在电场的耗尽区，只要载流子（多数载流子）一到达耗尽区边缘，就立即被电场扫到集电极而输出电流。

所以，沟道在一端被夹断后的导电性能将更好（导电性决定于未被夹断的部分沟道），这与完全没有沟道的截止状态完全不同。

对于JFET，其线性导通和饱和导通的情况与MOSFET的相同。

七、如何求得岳父原谅？

如果是因为家庭矛盾去请求岳父的原谅，我去见他时，先给他带点他喜欢的礼物，咱礼节做到位了，他见了我就不会那么生气了，见了他诚心实意的去和他沟通一下，再好的夫妻之间都有拌嘴吵架的时候，清官难断家务事，我想岳父他也不会太较真的，只要拿出咱的诚意用心的去沟通，岳父肯定会原谅我的

八、求得是动词吗？

是的，求得是动词，属于抽象意义上的动词，意思是追求并获得。

求得例句： 只有斗争才能求得和平。/ 每个单位只有吐故纳新,才能求得发展。/为了立功赎罪,他主动要求去山里做艰苦工作,以求得心里能安稳一些。/学而优则仕”,在科举时代,是指知识分子在科考中成绩卓异,才能求得一官半职。

九、阈值电压计算公式？

阈值电压的计算公式可以根据不同的设备类型和条件进行调整。在NMOS场效应晶体管中，阈值电压的表达式为：

\[ VT = VFB + Vox + \phi_s ]

其中，VT代表阈值电压，VFB是半导体平带电压，Vox则是栅氧化层上的压降，而ϕ_s是饱和迁移率。

然而，对于更为复杂的设备或情况，阈值电压的公式可能会包含更多的参数。例如，一个更完整的NMOS阈值电压公式可能包括产生电子反型层的电荷（Q_SD）在栅氧化层上引起的电压降。此外，阈值电压也可能取决于特定的器件特性，如场发射特性时，电流达到10mA时的电压就被称为阈值电压。

十、反相器的阈值电压？

在理想情况下，反相器的阈值电压应该为0V，即当输入信号的电压为0V时，输出信号的电压应该为Vcc（正电源电压）。

但是，在实际应用中，由于器件的非理想性和环境的影响，反相器的阈值电压往往会存在一定的偏差。反相器阈值电压的偏差会影响反相器的工作状态和性能。当反相器的阈值电压过高或过低时，会导致输出信号的失真。