一、怎么理解MOS管的电压应力?有什么影响？

没明白你的意思。可能是在说栅遭受电压冲击吧。MOS管的栅源之间相对漏源之间的正常工作的，可承受的电压相差较大。尤其是MOS管栅下方和半导体之间是一层薄薄的氧化层(称为栅氧)，正常工作时，必须保持绝缘状态。

然而，如果栅遭受了较高的电压冲击，就有可能导致栅氧击穿，从而导致MOS管不能正常工作，器件受到不可逆转的损害。

二、如何测MOS管电压？

对地测阻值是红的接地，黑的接测试点。 测电压就的红的接测试点，黑的接地

三、mos管应力怎么测？

应该是mos管应怎么测？

用二极管档对MOS管的测量。首先要短接三只引脚对管子进行放电。

1然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有500多的数值。说明此管为N沟道。

2黑笔不动，用红笔去接触G极测得数值为1.

　3红笔移回到S极，此时管子应该为导通。

4然后红笔测D极，而黑笔测S极。应该测得数值为1.（这一步时要注意。因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压，所以DS之间还是导通的，不过大概10几秒后才恢复正常。建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先）

5然后红笔不动，黑笔去测G极，数值应该为1到此我们可以判定此N沟道场管为正常

四、如何减少mos管开通的，振荡波？

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。

RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。另外，负载处除了主要的电解电容，一些钽电容试试。顺便说一下，光耦牵扯一个反逻辑的问题，不知道你注意了没有，如果没有在后面的驱动处最好做一下修正。

五、mos管最高电压？

MOS管最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。

当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。

MOS管最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。

六、mos管应力是什么意思？

mos管应力是指mos管子工作时承受的电压应力。

    测量管子最大电压应力一般在输出短路瞬间在D、S极产生个尖峰电压值，用最小环路法测量。设计要求这个值不能超过管子承受最大的电压值，并留有余量。

   电压应力就是在应用中的电压与零件规格值的比值。一般设计时电压应力不超出90%。电压应力是高压直流输电过程产生的电气特性研究的重要内容之一。

七、mos管反向电压会烧掉mos吗？

不会，mos管有反向寄生二极管，加反向电压会直接导通

八、mos管的电压范围？

关于这个问题，MOS管的电压范围通常取决于具体的型号和规格，不同的MOS管可能有不同的额定电压范围。一般来说，MOS管的工作电压范围可以从几伏到几百伏不等。有些低压MOS管适用于低电压应用，如3.3V或5V逻辑电平，而高压MOS管可以承受数百伏的电压，用于高压应用。具体的电压范围应在产品规格书或数据手册中查找。

九、mos完全导通电压？

大概在0.306V和0.23V之间

一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

MOS管的参数中没有直接给出管压降，而是给出导通电阻Rds（on），SI2301的导通电阻在Dd=3.6A时是85mΩ，在Id=2A时是115mΩ，这样可算出它的管压降在3.6A和2A时分别为0.306V和0.23V。

十、mos管多大电压驱动？

30V以下5v以上。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。