一、源极，栅极，漏极是什么？
场效应管MOSFET栅极(gate electrode)gate，门的意思，中文翻译做栅，栅栏。electrode，电极。源极(source)source资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。三个名字是从英文而来的。
二、栅极源极漏极怎么区分？
1.栅极是场效应晶体管的一个重要部分，它可以通过改变其电压来控制器件的导通与截止。在N型场效应晶体管中，栅极与源极之间存在一条类似二极管的结构，称为P-N结，而漏极则与源极相连。可以通过使用万用表或者示波器测量PN结的正负极性来确定栅极的位置。
2.源极是场效应晶体管的另一个关键组成部分，它是器件输入信号的引脚。当栅极电压大于射极电压时，管子进入放大状态。可以通过在PN结处测量电位，或者增加栅极电压时源极电流的变化来确定源极的位置。
3.漏极是场效应晶体管的输出端口，器件的输出信号将从这个引脚被输入到外部电路中。当栅极电压足够高时，它会克服PN结的阻挡作用使得电子可以向漏极运动，形成导电通道并输出放大后的信号。可以通过使用万用表或示波器来测量PN结上的电位来确定漏极的位置
三、场效应管漏极，源极，栅极的作用？
场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.四、mosfet漏极电压？
MOS的闯值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为闯值电压，它是MOSFET的重要参数之一。
MOS管的國值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于闯值电压，就没有沟道。阚值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为闯值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阔值电压。
五、mos管源极和漏极电压？
一、指代不同
1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。
2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。
二、原理不同
1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。
MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。
六、igbt栅极电压范围？
15V-20V之间。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VCE越高，VDS也就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充分发挥IGBT的工作能力。
但是，VGE并非越高越好，一般不允许超过20 V，原因是一旦发生过流或短路，栅压越高，则电流幅值越高。IGBT损坏的可能性就越大。通常，综合考虑取+15 V为宜。
七、什么帘栅极电压？
为了提高电子管的放大系数， 在三极管的阳极和控制栅极之间另外加入一个栅极称 之为帘栅极而构成四极管，由于帘栅极具有比阴极高很多的正电压，因此也是一个能力很强的加速电极， 它使得电子以更高的速度迅速到达阳极， 这样控制栅极的控制作用变得更为 显著。因此比三极管具有更大的放大系数。但是由于帘栅极对电子的加速作用，高速运动的 电子打到阳极，这些高速电子的动能很大，将从阳极上打出所谓二次电子，这些二次电子有 些将被帘栅吸收形成帘栅电流， 使帘栅电流上升导致帘栅电压的下降， 从而导致阳极电流的 下降，为此四极管的放大系数受到一定而限制。
为了解决上述矛盾，在四极管帘栅极外的两侧再加入一对与阴极相连的集射极，由于集射 极的电位与阴极相同， 所以对电子有排斥作用， 使得电子在通过帘栅极之后在集射极的作用 下按一定方向前进并形成扁形射束， 这扁形电子射束的电子密度很大， 从而形成了一个低压 区， 从阳极上打出来的二次电子受到这个低压区的排斥作用而被推回到阳极， 从而使帘栅电 流大大减少，电子管的放大能力得而加强，这种电子管我们称为束射四极管。束射四极管不 但放大系数较三极管为高，而且其阳极面积较大，允许通过较大的电流，因此现在的功放机 常用到它作为功率放大。
正常情况的帘栅极电压约为70V
八、场效应管栅极和漏极电压过高会不会引起击穿呢？
当然会击穿了，谁告诉你通常只考虑栅源电源了，漏源电压就不考虑？没有像你说的考虑栅漏电压的，厂家给出的都是漏源的耐压值，在实际电路中你要结合你的电路来选择场效应管的耐压，还有就是耐流。
栅源电压是管子的驱动电压，一般15V-20V九、mos栅极电压是多少？
mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。
那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通
十、MOS管的源极，漏极，栅极是不是联通的，电流是什么走向？
栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
