一、场效应管栅源击穿电压是多少？
场效应管的栅源击穿电压是指在栅极和源极之间施加电压，当电压达到一定值时，导致栅源间出现电击穿现象的电压值。这个电压值通常会受到器件的制造工艺和材料约束，因此不同型号和品牌的场效应管，其栅源击穿电压也是不同的。
一般情况下，场效应管的栅源击穿电压都在10V到50V之间，具体数值和应用场景有关。在实际应用中，我们需要根据场效应管的具体规格和数据手册上的参数来选择合适的栅源击穿电压，以确保器件的可靠性和稳定性。
二、场效应管开启电压多少伏？
不同场效应管的开启电压是不同的，低的3-5V，高的5-10V，具体开启电压需要查询相应型号场效应管手册。
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10的七次方～10的15次方Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET英文为FieldEffectTransistor，简写成FET。
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
（5）场效应管的抗辐射能力强；
（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
三、背栅是什么？
对于gaas基高电子迁移率晶体管，当存在背栅效应时，集成电路芯片中的晶体管之间就会产生相互干扰，从而影响器件特性。所谓的背栅效应是指：对于制备在半绝缘gaas衬底上的场效应晶体管器件(fet)，当器件邻近的电极施加一个负偏压时，器件的源漏电流会随着负偏压的增加而减小。背栅效应的存在会影响集成电路的集成度，抑制集成电路芯片的性能提高。背栅效应作为一种有害的寄生效应，与gaas衬底的电学特性以及器件制造工艺都有关系。
对于分子束外延生长的晶体管材料，在外延层生长过程中，衬底表面的污染物会进入到外延生长的缓冲层中，在靠近衬底界面处形成一层弱p型的深能级缺陷层，正是这个弱p型的深能级层引起了背栅效应。为了抑制背栅效应，通常会在正常温度生长缓冲层之前，在gaas衬底上通过低温外延方法生长一层厚度约200纳米至1000纳米的低温gaas缓冲层，以抑制背栅效应。
然而，由于分子束外延生长材料的速率通常较低，并且分子束源的原材料成本相对较高，为了抑制背栅效应而额外生长200纳米至1000纳米的低温gaas缓冲层，在一定程度上增加了外延生长的时间和原材料成本。
四、场效应管开启电压一般多少？
场效应管的开启电压为多少
正2V
场效应管的开启电压为一般约为正2V。 场效应管是场效应晶体管,简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高噪音小，功耗低动态范围大、易于集成，没有二次击穿现象，安全工作区域宽等优点，现以成为双级型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
五、mod管栅级电压？
MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。
当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。
六、绝缘栅场效应管读音？
有四种读音，zha，四声，指用竹条或木条做成的阻拦物，如栅栏shan，一声，栅极，多极电子管靠阴极的一个电极。光栅，产生光的衍射现象的一种仪器。另外两个都跟地名有关，可以排除。根据上下文意思，我觉得选取第一个比较合适。但没有绝对的依据。
七、光电压效应？
表面光电压是固体表面的光生伏特效应，是光致电子跃迁的结果。表面光电压技术是一种研究半导体特征参数的极佳途径，这种方法是通过对材料光致表面电压的改变进行分析来获得相关信息的。
表面光电压效应是指通过改变光强度来改变材料的表面电位。“通过利用激光束的非均匀强度分布，我们操纵局部表面电位，在光激发点内产生一个空间变化的电场。这使我们能够控制光斑内的电子流动
八、什么是漏源电压、栅源电压？
漏源电压：漏极和源极两端的电压。 栅源电压：栅极和源极两端的电压。 栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D） 将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器 栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。
九、栅源极阈值电压？
应该是漏极电压和栅极电压，就是场效应管其中漏极和栅极的电压
十、什么叫，浮栅场效应管？
闪存（Flash）技术利用的场效应管就是浮栅场效应管
FLASH技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。它具有两个栅极，一个如普通场管栅极一样，用导线引出，称为“选择栅”；另一个则处于二氧化硅的包围之中不与任何部分相连，这个不与任何部分相连的栅极称为“浮栅”。通常情况下，浮栅不带电荷，则场效应管处于不导通状态，场效应管的漏极电平为高，则表示数据1。编程时，场效应管的漏极和选择栅都加上较高的编程电压，源极则接地。这样大量电子从源极流向漏极，形成相当大的电流，产生大量热电子，并从衬底的二氧化硅层俘获电子，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底与浮栅之间的二氧化硅层，这时由于选择栅加有高电压，在电场作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮栅，并在浮栅上形成电子团。浮栅上的电子团即使在掉电的情况下，仍然会存留在浮栅上，所以信息能够长期保存（通常来说，这个时间可达10年）。由于浮栅为负，所以选择栅为正，在存储器电路中，源极接地，所以相当于场效应管导通，漏极电平为低，即数据0被写入。擦除时，源极加上较高的编程电压，选择栅接地，漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理，浮栅上的电子将穿过势垒到达源极，浮栅上没有电子后，就意味着信息被擦除了。
由于热电子的速度快，所以编程时间短，并且数据保存的效果好，但是耗电量比较大。
