一、显卡mos管烧坏原因？
MOS管损坏主要原因：
过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。
第一种：雪崩破坏，如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
第二种：器件发热损坏，由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
第三种：内置二极管破坏，在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。
第四种：由寄生振荡导致的破坏，此破坏方式在并联时尤其容易发生。在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。
第五种：栅极电涌、静电破坏，主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。
二、mos管最高电压？
MOS管最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。
当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。
MOS管最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。
三、mos管里面二极管烧坏会导致什么情况?
在做电源设计或者驱动电路的时候，难免要用到场效应管，也就是我们常说的MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用，在作为电源或者驱动使用的情况下，发挥的当然是用它的开关作用。但在半导体电子应用过程中，MOS管经常会出现发烫严重的现象，那么是什么原因导致MOS管发烫呢？
在开关电源应用方面，这种应用需要MOS管定期导通和关断。比如，DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。我们常选择数百kHz乃至1 MHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。因此，我们电路或者电源设计人员最关心的是MOS的最小传导损耗。
我们经常看MOS管的ＰＤＦ参数，MOS管制造商采用RDS（ON）参数来定义导通阻抗，对开关应用来说，RDS（ON）也是最重要的器件特性。数据手册定义RDS（ON）与栅极（或驱动）电压 VGS 以及流经开关的电流有关，但对于充分的栅极驱动，RDS（ON）是一个相对静态参数。一直处于导通的MOS管才很容易发烫。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS（ON）的增加。
MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。因此发烫的情况主要分为一下几种：
1.电路设计的问题 就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发烫的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，损耗就意味着发烫。这是设计电路的最忌讳的错误。
2.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发烫严重，需要足够的辅助散热片。
3.频率太高 主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热的值也加大了。
4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。
这是关于MOS管发烫问题的简单总结。也是做开关电源或者MOS管开关驱动的工作者需要烂熟于心的知识。
四、电脑mos管烧坏的原因？
因为电流太大，MOS管和电感因为有很小的阻抗，也会发热，如果热量不能迅速的释放，那么很有可能会因热量堆积，温度上升，导致MOS管热击穿，最终损坏
一般主板上的CPU供电部分的MOS管工作在开关状态，出现发热烧毁，说明其管子压降过大，这就有可能该管的驱动信号不足，无法使其工作在开关状态，导致管子功耗增大而烧毁。
五、mos管的电压范围？
关于这个问题，MOS管的电压范围通常取决于具体的型号和规格，不同的MOS管可能有不同的额定电压范围。一般来说，MOS管的工作电压范围可以从几伏到几百伏不等。有些低压MOS管适用于低电压应用，如3.3V或5V逻辑电平，而高压MOS管可以承受数百伏的电压，用于高压应用。具体的电压范围应在产品规格书或数据手册中查找。
六、如何测MOS管电压？
对地测阻值是红的接地，黑的接测试点。 测电压就的红的接测试点，黑的接地
七、mos管多大电压驱动？
30V以下5v以上。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
八、mos管的基准电压？
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V。 MOS管,当器件由耗尽向反型转变时,要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状
、MOS管的电压特性,在MOS管栅源之间的施加电压在多数情况下不能超过20V,在实际应用率MOS管的栅极电压一般被控制在10V左右
九、mos管电压怎么选？
当vGS数值较小，吸收电子的才能不强时，漏——源极之间仍无导电沟道呈现，vGS增加时，吸收到P衬底外表层的电子就增加，当vGS到达某一数值 时，这些电子在栅极左近的P衬底外表便构成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间构成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，构成反型层。
vGS越大，作用于半导体外表的电场就越强，吸收到P衬底外表的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
即N沟道MOS管在vGS＜VT时，不能构成导电沟道，管子处于截止状态。
只要当vGS≥VT时，才有沟道构成。沟道构成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。
但是Vgs继续加大，比方IRFPS40N60K
Vgs=100V时
Vgs增大会减小Rds（on）减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率
十、mos管反向电压会烧掉mos吗？
不会，mos管有反向寄生二极管，加反向电压会直接导通
