三极管雪崩效应？ - 散珠屏幕网

一、三极管雪崩效应？

所谓雪崩效应就是指加在三极管PN结两端的反向电压足够大时，PN结内部载流子（电子或空穴）可能和晶体结构中的外层电子碰撞而使其脱离原子核的束缚，这种被撞出来的载流子在获得能量之后，又去碰撞其它的外层电子，从而导致载流子突然急剧增加，这种击穿就是雪崩击穿。

二、什么是雪崩三极管？

雪崩三极管具有放大、开关、振荡、混频、频率变换等作用，通常晶体三极管可以处理的功率至几百W，频率至几百MHz左右。这样的雪崩三极管是在一个本征半导体中由三层n型半导体和p型半导体构成的。雪崩三极管所具有的NPN型和PNP型结构以有晶体三极管的命名方法，并且从称为基极、集电极、发射极的三个电极中流过的电流值来研究雪崩三极管中电流的流动方法和作用。然后，为了能够正确地作用晶体三极管，对晶体三极管的最大额定值、晶体三极管上施加的电压和电流的关系等进行分析。

三、三极管雪崩电路的运用？

实用新型包括高压电压可调电源、高压钠秒信号生成电路、占空比可调方波发生器和输出端电路，所述高压电压可调电源与所述高压纳秒信号生成电路的电源正负端连接，所述占空比可调方波发生器的信号输出端通过微分电路与高压纳秒信号生成电路连接，所述输出端电路与雪崩三极管集电极连接。

四、泄漏电流初始电流是什么？

漏电流”与“泄露电流”两个专业名词十分相似，导致很多工程师对着两个量经常混淆，傻傻分不清楚。

实际上他们之间的实质截然不同，一个是用电器在输入正常电压下的测试，另一个是用电器不同电下，用另外的几千伏的电压施加在设备输入对地-输入对输出等的电流测试。

根据GB/T13870.1在 “15～100Hz正弦电流的效应” 中阐述，感知阈和反应阈为0.5mA，摆脱阈为10 mA。

泄露电流相对比较小，一般零点几毫安，比如220VAC/0.42ma，漏电流相对较大，一半几毫安到几十毫安，比如2000VAC/5ma，当然也有漏电流有求很高的应用场合，比如医疗电源，才零点几毫安。

对于电源工程师耐压测试漏电流非常熟悉，我们今天来讲讲泄露电流。

泄漏电流是指在没有故障施加电压的情况下,电气中带相互绝缘的金属零件之间,或带电零件与接地零件之间,通过其周围介质或绝缘表面所形成的电流称为泄漏电流.

按照美国UL标准,泄漏电流是包括电容耦合电流在内的,能从家用电器可触及部分传导的电流.

泄漏电流包括两部分,一部分是通过绝缘电阻的传导电流I1;另一部分是通过分布电容的位移电流I2,后者容抗为XC=1/2pfc与电源频率成反比,分布电容电流随频率升高而增加,所以泄漏电流随电源频率升高而增加.例如:用可控硅供电,其谐波分量使泄漏电流增大.

若考核的是一个电路或一个系统的绝缘性能,则这个电流除了包括所有通过绝缘物质而流入大地(或电路外可导电部分)的电流外,还应包括通过电路或系统中的电容性器件(分布电容可视为电容性器件)而流入大地的电流.较长布线会形成较大的分布容量,增大泄漏电流,这一点在不接地的系统中应特别引起注意.

测量泄漏电流的原理测量与绝缘电阻基本相同,测量绝缘电阻实际上也是一种泄漏电流,只不过是以电阻形式表示出来的.不过正规测量泄漏电流施加的是交流电压,因而,在泄漏电流的成分中包含了容性分量的电流.

在进行耐压测试时,为了保护试验设备和按规定的技术指标测试,也需要确定一个在不破坏被测设备(绝缘材料)的最高电场强度下允许流经被测设备(绝缘材料)最大电流值,这个电流通常也称为泄漏电流,但这个要领只是在上述特定场合下使用.请注意区别.

泄漏电流实际上就是电气线路或设备在没有故障和施加电压的作用下,流经绝缘部分的电流.因此,它是衡量电器绝缘性好坏的重要标志之一,敢是产品安全性能的主要指标.

将泄漏电流限制在一个很小值,这对提高产品安全性能具有重要作用.

泄漏电流测试仪用于测量电器的工作电源(或其他电源)通过绝缘或分布参数阻抗产生的与工作无关的泄漏电流,其输入阻抗模拟人体的阻抗.

泄漏电流测试仪主要由阻抗变换、量程转换、交直流变换、放大、指示装置等组成.有的还具有过流保护、声光报警电路和试验电压调节装置,其指示装置分模拟式和数字式两种.

泄漏电流也称之为接触电流，然而经常会与耐压测试中的漏电流混为一谈，因此近些年的标准中或是相关的刊物中都把泄漏电流称作为“接触电流”。

●泄露电流测试的目的

对于 I 类设备的电子产品可触及的金属部件或是外壳还应具备良好的接地线路，以作为基本绝缘以外的一种防电击保护措施。但是我们也经常遇到一些使用者随意将 I 类设备当成 II 类设备使用，或是说其 I 类设备电源输入端直接将接地端 (GND) 拔除，这样就存在一定的安全隐患。即便如此，作为生产厂商有义务去避免这种情况对使用者造成的危险。这就是我们为什么要做接触电流测试的目的所在。

五、搅拌站初始电流？

搅拌站的初始电流取决于许多因素，例如搅拌站的类型、规模和搅拌速度，以及电路的规格和连接方式等。一般来说，搅拌站的初始电流通常在几安培到几十安培之间，并且会随着时间的推移而逐渐减小。

如果对搅拌站的技术细节有疑问，建议咨询专业人士或进行详细调查，以确保了解实际情况。

六、160kw电机初始电流？

160kw电机的初始电流是根据电压以及机器的设计参数来计算的，无法直接给出一个固定的数字。但通常来说，电机起动时的电流都会比正常运转时大很多，也就是我们所说的起动电流。而起动电流的大小将会受到电机的额定功率、上电频率、电源电压以及负载特性等很多因素的影响。为了确保电机正常启动，我们需要注意保证电路和电源的可靠性，并在设计时充分考虑到各种因素对电机起动电流的影响。

七、三极管电流方向？

我来说吧，三极管要放大，有两个条件：发射结正偏，集电结反偏。

对于NPN管来说，发射结是基极（P）指向发射极（N），集电结是基极（P）指向集电极（N）。

而且对于半导体来说，多子是携带电荷的主流，代表主要电流的方向。

先看发射极，由于是N区，多子是电子（负电）。由于发射结正偏，PN结内电场的方向从基极指向发射极，电子在电场内的运动与电场方向相反，所以电子（从电源负极出发）会向基极运动。直接越过PN结到达基极。由于基极很薄，而且浓度很低，所以电子流没有受到阻碍一直到达集电极——基极边界。而在这个地方，刚好是集电结反偏，也就是电场方向是从集电极指向基极，此时电子在电场的作用下，继续逆着电场方向运动（因为带负电），一直到集电极，并转入电源正极，这样完成了一个循环。由于电流的方向是正电子的运动方向，所以标注的电流方向与这个电子的运动方向相反，所以你看到的是电流从集电极流入到发射极流出。

PNP三极管的判断与这个很类似，你可以尝试一下。

八、三极管电流规律？

三极管各电极上的电流分配关系为：发射极IE=基极IB+集电极IC。发射极电流IE，集电极电流IC大于基极电流IB，集电极IC=β基极IB。晶体三极管有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative）。N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。扩展资料晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，称三极管处于截止状态